打破日企(qi)壟斷隻是時(shí)間問題？東進(jin)半導體宣布(bu)與三星成功(gong)研發EUV光刻膠(jiao)

　　據韓媒etnews報道(dào)，韓國東進半(ban)導體與三星(xing)電子合作，成(cheng)功開發了超(chao)細半導體加(jiā)工必不可少(shao)的材料——極紫(zǐ)🛀🏻外(EUV)光刻膠(PR)。EUV光(guang)刻膠是因其(qi)技術難度高(gāo)而完全依賴(lai)國外的産品(pin)，此🏃次韓國通(tōng)過國内企業(ye)合作實現了(le)國産化，意味(wèi)着日企壟斷(duàn)的打破。

 

東進(jin)半導體華城(chéng)工廠鳥瞰圖(tú)，來源：etnews

 

　　12月13日，東(dong)進半導體宣(xuan)布于近期通(tong)過了三星電(dian)子的❌EUV光刻膠(jiao)可靠性測試(shì)，發布此消息(xī)後，截至12月13日(rì)上午🈲11時45分🍉，東(dong)進半導體股(gǔ)價較前一交(jiāo)易日上漲12.8%。

 

　　一(yi)位熟悉此事(shi)的業内人士(shi)表示，“東進半(bàn)導體在其☎️位(wei)于京畿道華(hua)城的工廠開(kāi)發了 EUV光刻膠(jiao)，并在三星電(dian)子的華城EUV生(shēng)産線上對其(qí)進行了測試(shì)，并獲得了最(zui)終的可靠性(xing)✉️認證。”

 

三星電(diàn)子， 來源：etnews

　　光刻(ke)膠是半導體(ti)曝光工藝中(zhong)的關鍵材料(liao)。它被施加在(zài)晶片上，當用(yong)半導體曝光(guang)設備照射光(guang)時，會發生化(hua)學反應并📱改(gǎi)變物理特性(xìng)。通過用顯影(ying)劑沖洗掉來(lai)繪制微電路(lu)，隻留下必要(yao)的部分。

 

　　在韓(hán)國，用于KrF和ArF工(gong)藝的光刻膠(jiao)已大量生産(chan)，但沒有用🔴于(yú)可以繪制更(gèng)精細電路的(de)EUV光刻膠，大部(bù)分需要依賴(lai)👄日本進口。此(cǐ)外在2019年，日本(běn)與韓國爆發(fa)争議之後曾(ceng)經🧑🏾‍🤝‍🧑🏼限制三種(zhǒng)重要的半導(dǎo)體材料對韓(hán)國的出口，EUV光(guāng)刻膠就是其(qí)中🥵之一，爲此(cǐ)🔴韓國公司也(yě)加快了💋EUV光刻(ke)膠的研發，東(dōng)進半導體也(yě)是其中之一(yi)。

 

　　東進半導體(tǐ)利用自有的(de)基礎設施，如(rú)現有的ArF曝光(guāng)機和比利時(shí)半導體研究(jiū)所I MEC EUV設備，開始(shi)進行EUV光刻膠(jiao)國産化研發(fā)。

 

　　今年早些時(shi)候，其加強了(le)EUV光刻膠專家(jia)并加速了技(ji)術開發。此外(wai)👣，三星電子積(jī)極支持EUV測試(shì)環境，以達到(dào)可以在現場(chǎng)使💜用的🐕質量(liàng)水平。

 

　　目前尚(shàng)不清楚三星(xing)電子是否會(hui)立即将東進(jìn)半導體EUV光刻(ke)膠投入半導(dao)體生産線。正(zhèng)常情況下，如(rú)果質量合格(gé)就會投🐇入量(liang)産線。因此，有(yǒu)人預測最早(zao)可能在明年(nian)✊上半年供應(ying)。三星電子和(hé)東進半導體(tǐ)目前都拒絕(jué)就本條新聞(wén)表态。三星電(dian)子的一👉位官(guan)員表示：“我們(men)無法與合作(zuò)公司确認測(cè)試是否通過(guò)。”

 

　　就該消息而(er)言，三星與東(dong)進半導體研(yan)發的EUV光刻膠(jiāo)産品隻是成(cheng)功通過了測(cè)試，距離量産(chan)時間還不确(que)定，但這一消(xiao)息🐆也表明三(san)⭐星已經在EUV光(guāng)刻膠方面取(qǔ)得成功，量産(chǎn)将隻是時間(jiān)問題。